闪存芯片,关于闪存芯片的所有信息
-
供应链称苹果将转向三星购买iPhone所用的NAND闪存芯片
消息人士称,长期以来,三星是 iPhone 手机 DRAM 芯片的主要供应商,明年将开始从其在中国西安的工厂为 iOS 设备供应 NAND 闪存,该工厂目前为三星供应商的 3D NAND 闪存总产能贡献 40%,层数从 128
-
十铨科技T-FORCE VULCAN火神Z SATA SSD采用3D TLC闪存芯片
此外,VULCAN 火神 Z SSD 内建自动错误校正(ECC)功能,增进数据储存正确性,而 Windows TRIM 优化指令的完整支持性及 S M A R T 健康度监控技术,使 SSD 使用时保持较佳读写状态并延长使用
-
长江存储推出UFS 3.1高速闪存芯片 可广泛适用于高端旗舰智能手机等
根据 JEDEC 2020 年发布的标准,在加入了写入增强器(Write Booster)、深度睡眠 (Deep Sleep)、性能调整通知(Performance Throttling Notification)等技术后,UFS 3 1 理论带宽可达 2 9GB s*,性能较 eMMC 5 1 及 UFS 2 2
-
西安三星半导体闪存芯片产能占全球同类产品产能的比重超过10%
2017 年 8 月 30 日,西安三星半导体投资 70 亿美元建设 12 英寸闪存芯片二期项目,新建一条闪存生产线。2019 年 12 月,该公司决定追加投资 80 亿美元进一步扩大二期项目规模。目前,二期项目已
-
七彩虹推出战戟CN600固态硬盘:采用长江存储的闪存芯片
战戟 CN600 固态硬盘采用 PCIe 3 0×4 界面,读取速度最高 3300MB s。官方表示,长江存储的 NAND 闪存与联芸科技的主控芯片结合,能够保证稳定的质量和性能。产品表面没有覆盖散热片,采用 M 2 2280
-
集邦咨询:2021第三季度NAND闪存芯片出货量增长近11%
三星电子本季度依旧位居 NAND 行业首位,市场份额高达 34 5%。该品牌第三季供货量依旧吃紧,平均销售单价上涨达 10%。第三季三星 NAND Flash 营收达到 65 1 亿美元,季增 16 5%。铠侠位居该季度第
-
消息称专用DRAM和NOR闪存芯片的供应在2022年持续供不应求
ESMT 称,尽管需求受到非内存 IC 短缺的负面影响,但上游代工厂仍被要求与专用 DRAM 厂商签订长期合同。另外,ESMT 表示,NOR 闪存明年也将出现供应紧张的情况,促使相关设计公司和下游设备公
-
SK海力士Gold P31固态硬盘推出2TB版本 TLC闪存芯片
2TB 版Gold P31 固态硬盘顺序读写速度分别为3500MB s、3200MB s,接近接口上限。硬盘 PCB 上具有独立的 LPDDR4 缓存,但容量未知。产品寿命为 1200TBW ,MTBF 150 万小时,官方表示此款产品经过了 1000 小时
-
韩媒:三星闪存芯片份额上升至32.9%,连续15年全球第一
据韩国《中央日报》3月5日报道,去年三星电子在全球闪存芯片市场所占份额和销售额均位列世界第一,从2006年起连续15年保持该市场龙头地位。闪存芯片主要用作智能手
-
外媒预计NAND闪存芯片的合约价格在三季度将与二季度持平
不过与二季度不同的是,外媒此前在报道中表示NAND闪存的合约价格上涨15%,主要是因为服务器和企业级应用的强劲需求,推动价格上涨,而外媒最新预计的三季度价格持平,则是笔记本电脑的
-
长江存储宣布128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功
长江存储表示,X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit ce
-
今年1月内存和闪存芯片在上游的交易价均有所上涨
至少从DRAM类别来看,这是一年多来,DRAM芯片上游交易价第一次出现环比增加。颗粒厂们表示,供应量增长不及预期是技术原因,即向10nm级工艺转型。
-
三星拟将在中国芯片工厂投资增加到80亿美元 以提高NAND闪存芯片产量
三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝,几家中国企业也正试图进入内存领域,但它们至今尚未取得太大成功,还不足以与这些巨头
-
闪存芯片供过于求 明年第一季度SSD和手机UFS还要降价
最新的报告显示还没上SSD固态车的朋友们并不用着急,来自DRAMeXchange的最新报告,NAND Flash的合约价在明年上半年将继续下滑,其中第一季