NAND,关于NAND的所有信息
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供应链称苹果将转向三星购买iPhone所用的NAND闪存芯片
消息人士称,长期以来,三星是 iPhone 手机 DRAM 芯片的主要供应商,明年将开始从其在中国西安的工厂为 iOS 设备供应 NAND 闪存,该工厂目前为三星供应商的 3D NAND 闪存总产能贡献 40%,层数从 128
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三星宣布量产第8代V-NAND闪存 可带来2400MTps的传输速度
三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 表示:“由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的 V-NAND 层数,三星采用了先进的 3D 压缩技术,以减少表面积和高度,同时避免通常在
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数据显示第二季度SK海力士NAND芯片全球市场占有率为19.9%
韩媒指出,SK 海力士过去都在每年 8 至 9 月决定隔年设备投资计划,但由于疫情、设备交期等因素,SK 海力士今年提前下单,4 月便与供应商谈明年设备投资,随着芯片供给过剩,9 月底开始对
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机构预计受需求下滑影响 三季度NAND闪存和DRAM的价格将下滑超过10%
三星电子虽然业务广泛,涵盖了智能手机、面板等诸多业务,但存储芯片所在的设备解决方案部门,向来是他们主要的利润来源。在今年二季度,三星电子整体的营业利润为 14 1 万亿韩元,设备
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外媒称三星已放弃3D NAND闪存光刻胶供应商多元化计划
东京应化工业等厂商无法达到要求,也就意味着三星电子未来在生产3D NAND闪存时,仍将采用东进世美肯的光刻胶,已经独家供应了近10年的东进世美肯,未来一段时间仍将是独家供应商。
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美光英睿达推出P3 Plus PCIe 4.0 SSD 采用了美光176层NAND
目前,英睿达暂未公布这款 SSD 的主控和闪存的详细信息。公开资料显示,Crucial 英睿达是美国内存制造商 Micron 美光旗下的品牌,1996 年创建,服务于全球 2
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外媒称长江存储将为iPhone 14供应NAND闪存 已被列为供应商
韩媒在报道中还表示,苹果目前所需的NAND闪存,是由三星电子、SK海力士和铠侠供应,DRAM则仰仗三星电子和SK海力士,高度依赖韩国存储芯片厂商。市场观察人士认为,苹果与长江存储合作,
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研究机构预计NAND闪存的合约价格在三季度下滑13%-18%
NAND闪存合约价格下滑,将直接影响NAND厂商的营收。在今年二季度,三星电子、SK海力士、铠侠、西部数据和美光这五大厂商NAND闪存的销售额,分别为59 8亿美元、36 15亿美元、28 32亿美元、24亿美
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二季度三星电子NAND闪存的销售额为59.8亿美元 环比下滑5.4%
铠侠 NAND 闪存在二季度的销售额为 28 32 亿美元,环比下滑 16 3%,所占的份额由 18 9% 降至 15 6%;销售额第四的是西部数据,二季度为 24 亿美元,环比增长 7%,市场份额提升 0 7 个百分点,增至 13 2%
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NAND Flash市场交易十分消极 合约价预估跌幅从原先的15~20%
从这个角度看,身为等等党,应该会尝到甜头。海外市场对三星970 EVO固态盘(1TB M 2)的价格监测显示,从今年1月份以来,价格一直在下滑,目前已经来到了99 99美元的水平。比年初便宜了一半还
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报告称受铠侠原物料污染事件影响 第二季度NAND Flash合约价上涨约3~8%
展望第三季度,TrendForce 集邦咨询表示,高通货膨胀、俄乌冲突与疫情仍持续冲击市场需求,导致旺季不旺,预计第三季度随着供给过剩问题持续发酵,供应链积极去化库存引发抛货,NAND Flash
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三星990 PRO系列产品三星采用了新的V-NAND技术以及新推出的自研控制器
三星表示,采用 NVMe 技术的 990 PRO 可以缩短 PC 和游戏机的游戏加载时间,从而提供更加身临其境般的游戏体验。Luminous Productions 即将推出的动作角色扮演游戏“Forspoken”支持新的游戏加载技术
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业内人士透露NAND闪存的价格将在2022年下半年进一步下降
据消息人士称,尽管客户订单迅速放缓,但 NAND 闪存芯片供应商仍然不愿意限制产量或调整即将到来的产能扩张计划。这是因为 NAND 闪存的价格尚未低于它们的可变成本,而且各自经营规模和产
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三星电子计划在本月新设立一个研发中心 负责研发更先进的NAND闪存
韩国媒体在报道中就提到,SK海力士已宣布研发出了238层NAND闪存,预计明年上半年大规模量产;美光科技也已完成了232层NAND闪存的研发。未来要想在NAND闪存市场占有优势,势必就需要不断研发更
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外媒:三星电子预计会在年内开始生产236层NAND闪存
在全球NAND闪存市场上,主要厂商之间的竞争也较为激烈,都在研发性能更强的产品。SK海力士8月2日就在官网宣布,他们已经研发出了238层512Gb TLC 4D NAND,预计在明年上半年开始量产。美光科技
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消息称SK海力士计划最早明年上半年量产采用238层NAND的最新UFS 4.0闪存
THELEC 还透露了 SK 海力士正在开发的 UFS 4 0 闪存的数据处理速度:连续读取 4000 MB s,连续写入 2800 MB s。外形规格为 11×13×0 8mm。仅从速度来看,现在曝光的速度可能只搭载了 V7 NAND。
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研究机构预计NAND闪存明年将会供过于求 市场需求预计明年将增长28.9%
至于DRAM,研究机构预计,明年DRAM供过于求的状况将会更严重,市场规模预计将增长8 3%,首次低于10%,但供给预计将增长14%,价格预计将会继续下滑。
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研究机构预计NAND闪存的市场需求在明年增长28.9% 供给增长32.1%
不过与 DRAM 供过于求更严重,可能导致价格下滑不同,研究机构认为 NAND 闪存有更好的价格弹性,在连续多个季度下滑之后,在企业级固态硬盘市场的平均价格预计会有一定程度的上涨。
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研究机构预计NAND闪存的市场需求在明年增长28.9% 供给增长32.1%
不过与DRAM供过于求更严重,可能导致价格下滑不同,研究机构认为NAND闪存有更好的价格弹性,在连续多个季度下滑之后,在企业级固态硬盘市场的平均价格预计会有一定程度的上涨。对于今
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SK海力士介绍238层4D NAND闪存:数据传输速度为2.4Gbps
SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式,并导入了 4D 方式。为成功研发 4D 架构的芯片,公司采用了电荷捕获型技术 (CTF,Charge Trap Flash)和 PUC (Peri Under Cell)技术。相比 3D