美光,关于美光的所有信息
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美光科技在日本广岛开始量产“1β”DRAM 单颗裸片容量高达16Gb
全新 JEDEC 增强型动态电压和频率调节扩展核心(eDVFSC)技术使基于 1β 的 LPDDR5X 更加节能。在高达 3200 Mbps 的双倍频率层上添加 eDVFSC,可改善节能控制,从而基于独特的终端用户模式实现更低功耗
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美光宣布LPDDR5X内存在被高通骁龙8 Gen 2芯片纳入主架构设计后 目前已量产出货
据介绍,最新推出的 LPDDR5X 专为高端及旗舰智能手机打造。台媒指出,美光资深副总裁、行动事业部总经理 Raj Talluri 称,目前美光最高速的 LPPDR5X 已量产并在全球铺货。
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美光发布HSE 3.0开源存储引擎 带来了更多功能改进
据介绍,HSE 3 0 改进了数据管理,提高了各种重要工作负载的性能。此外,HSE 3 0 引擎围绕具有单调递增键(例如时间序列数据)的工作负载、多客户端工作负载、将压缩和未压缩值存储在一起的能
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美光表示将减少内存芯片供应 对资本支出计划进行更多削减
与截至 9 月 1 日的第四季度相比,美光正在减少 DRAM 和 NAND 晶圆的开工率 —— 或半导体生产中的初始工艺 —— 约 20%。对于 2023 年,美光公司预计其 DRAM bit 供应量同比将出现负增长,NAND bit
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美光称DDR5将通过24Gb组件带来了新的和更高的密度
美光表示,这是业界首款可满足不断增长的处理器内核带宽要求的可扩展内存,支持当前的 4800 MT s 和未来的 8800 MT s。与 3200 MT s 的 DDR4 相比,美光 4800 MT s 的 DDR5 有效内存带宽提高了 2 倍
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美光发布最新的LPDDR5X-8500内存 采用先进1β工艺
1β 制程技术能实现比以往更低的每比特功耗,为智能手机提供了目前市场上最节能的内存技术。它将助力智能手机制造商推出更长续航的设备 —— 消费者在使用高能耗、数据密集型应用时,
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美光发布LPDDR5X-8500内存:可提供约15%的能效提升
不久前,三星电子也宣布其最新的 LPDDR5X DRAM 以 8 5Gbps 的业界最快速度通过了验证,可在骁龙移动平台上使用,该速度也超越了三星此前在 3 月份取得的 7 5Gbps 的最高速度
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美光7450 SSD容量选择从400GB到15.36TB 具有数据保护安全功能
此外,管理指令允许对命名空间和安全等功能进行标准化控制,更容易与符合 OCP 规范的管理系统进行集成。7450 SSD 的错误恢复和错误注入功能兼容 OCP SSD 2 0 规范,能够快速恢复硬盘并模拟数据
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美光宣布投资高达1000亿美元在纽约中部建造Megafab可持续建造和运营的领先内存工厂
据介绍,美光计划在未来 20 多年内投资高达 1000 亿美元,在纽约克莱建造一座新的巨型工厂,计划在本十年末完成第一阶段投资 200 亿美元。这是纽约州历史上最大的私人投资。该场地最终可能
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周二美股收盘主要股指全线下跌 美光跌幅超过2%
与此同时,美债收益率继续走高,10 年期美债收益率跃升 5 个基点,至 3 538%,为 10 多年来的最高水平。两年期美债收益率一度突破 4% 的门槛。美债收益率上升可能会令股市承压,使政府债券相
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美光英睿达推出P3 Plus PCIe 4.0 SSD 采用了美光176层NAND
目前,英睿达暂未公布这款 SSD 的主控和闪存的详细信息。公开资料显示,Crucial 英睿达是美国内存制造商 Micron 美光旗下的品牌,1996 年创建,服务于全球 2
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美光科技在爱达荷州博伊西市的一座价值150亿美元的工厂破土动工
据悉,博伊西的工厂将在 2025 年投入运营。这两家工厂都将生产 DRAM 芯片,大量应用于数据中心、个人电脑和其他设备。首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示,一旦投入运营,美国工厂将占美光全球 DRA
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消息称美光232层TLC 2400MT/s良率不足 部分PCIe 5.0 SSD速度受限
美光在今年 7 月推出了这种内存,SK 海力士在 8 月初也推出了这种闪存,后续长江存储还推出了其 Xtacking 3 0 架构,从而同样实现了 2400MTps 的速度。IT之家曾报道,影驰也在测试其 HOF Extreme 50
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美光宣布将在未来10年投资约150亿美元在爱达荷州建厂
美光在新闻稿中称,这项投资确保了 DRAM(动态随机存取存储器)和 NAND 闪存的美国国产化。此前,这类芯片大部分产自亚洲。新设施生产的内存将用于汽车、数据中心、人工智能(AI)和 5G 等
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美光宣布将投资400亿美元 建设先进的存储芯片制造设施
研究机构曾预计,2025年全球产生的数据将达到175ZB(ZB:十万亿亿字节,1ZB=1024EB)。美光此前也曾在一份报告中表示,数据存储需求的增加,已推动存储芯片在半导体营收中的比重,由2020年的10%,
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消息称美光现已开始大规模生产其24 Gbps GDDR6X模块
据报道,在新一代24Gbps 超快 GDDR6X 显存加持下,显存带宽将再次提升。192bit 位宽的显卡显存带宽可达 576 GB s,256bit 位宽型号可达768 GB s,384 bit 型号可达1 1 TB s。IT之家了解到,目前的消息
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美光详解全球首款232层NAND:数据传输速度快50%
232 层 NAND 的精巧外形不仅赋予客户在设计上的弹性,也实现了有史以来最高的 TLC 密度(14 6 Gb mm2),其单位储存密度较目前市场上的 TLC 竞品相比高出 35% 至 100%。232 层 NAND 并采用比美光前
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美光宣布已开始量产全球首款232层NAND 具有业界最高的面密度
官方表示,美光的 232 层 NAND 技术实现业界最快的 NAND I O 速度:每秒 2 4 GB,比美光 176 层 NAND 快50%。美光的 232 层 NAND 实现了有史以来最高的每平方毫米 TLC 密度:14 6 Gb mm2
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美光日本DRAM制造厂突发停电 正在评估对近期供应的影响
美光正在评估停电时正在加工的晶圆,以确定它们是否符合公司严格的质量标准。该公司预计,在 2022 财年的第四季度和 2023 财年的第一季度,生产率和晶圆报废将造成产量损失和相关成本影响
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报告显示美光在2021年的37亿美元的汽车内存市场总份额为55.0%
该机构还指出,与专门从事汽车市场的半导体制造商相比(恩智浦汽车半导体营收占该公司总份额的 47%,英飞凌为 46%),美光的汽车份额占总收入的 7%。