晶体管,关于晶体管的所有信息
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英伟达公布RTX 40显卡三款GPU晶体管数量:AD104超上代旗舰GA102
此外,新一代GPU 的渲染输出单元 (ROP) 数量远高于前代产品,AD102 高达 192 ROP,AD103 的 ROP 为 112,与上代旗舰GA102 一样多,而 AD103 有 80 ROP。更高的 ROP 数会提高光栅化性能。
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英伟达推出DRIVE Thor系统:集成了770亿晶体管
DRIVE Thor 接替了之前的 NVIDIA DRIVE Orin 系统以及Altan,目标是搭载于各大车企2025 年的车型中。通用汽车自动驾驶部门 Cruise 上周表示,它已经开发了自己的芯片,将在 2025 年之前部署。
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消息称英伟达新旗舰GPU AD102晶体管数超750亿
规格方面,英伟达AD102 GPU 将拥有 18432 个 CUDA 内核,支持 384 bit 位宽的GDDR6X 显存。预计RTX 4090 将搭载 AD102 GPU,但只启用 16384 个 CUDA 内核。未来,英伟达可能推出RTX 4090 Ti 或者是 TITAN 型号,启用
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AMD Zen4内核探秘:晶体管数量从41.5亿猛增到65.7亿
对比来看,Zen4相比于Zen3不变的有一 三级缓存容量、发射宽度、浮点宽度等,变化的则有微操作缓存从4KB增至6 75KB,每核心二级缓存从512KB翻番至1MB,二 三级缓存延迟从12 46循环变成14 50循环,RO
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消息称三星电子宣布采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺
不同于 7nm、5nm 等工艺所采用的鳍式场效应晶体管(FinFET)架构,三星电子的 3nm 制程工艺,是率先采用全环绕栅极晶体管架构。三星电子在官网上表示,同 5nm 工艺相比,他们的第一代 3nm 制程工
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科学家制造了三维垂直场效应晶体管 可用来生产高密度数据存储器件
鉴于此,东京大学工业科学研究所科学家开发了一种基于铁电和反铁电场效应晶体管(FET) 的概念验证3D堆叠存储单元,该晶体管具有原子层沉积的氧化物半导体通道。FET可以非易失性方式存储1和
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M2芯片采用第二代5纳米制程工艺打造 集成超过200亿个晶体管
苹果2020年10月份推出的M1芯片,集成的也是8核中央处理器,但M2芯片集成的是新一代8核中央处理器,速度比M1最高提升18%,创建文档、演示文稿等各种日常工作,都能干脆利落搞定,即使是处理
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美科学家研制出全球首个磁电晶体管 可将存储某些数据所需晶体管的数量减少多达75%
鉴于此,在最新研究中,科学家们没有将常见的电子电荷作为其方法的基础,而是转向了电子另一种与磁性有关的属性——自旋。自旋指向上或下,可像电荷一样代表1或0。研究表明,流经石墨
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外媒称苹果推出两颗M1 Max强强合体、集成1140亿个晶体管的M1 Ultra芯片
在目前苹果在售的Mac中,Mac Pro搭载的仍是英特尔芯片,Mac mini虽有搭载M1芯片的版本,但也有搭载英特尔芯片的版本在售。而外媒最新的报道显示,苹果下一代的Mac mini,在芯片上将会有重大升
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碳纳米管“变身”超微型晶体管 宽度仅为人类头发丝宽度的1/25000
研究人员表示,他们或许可以借助碳纳米管制造出节能的纳米晶体管,以超越由硅制成的微处理器,但控制单个碳纳米管的“手性”(决定了碳原子的几何结构和电子结构)仍然是一个巨大的挑战
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科学家用锗生产自适应晶体管 可以在运行时动态切换
在新型晶体管中,电子和空穴以一种非常特殊的方式同时操作。维也纳工业大学固态电子研究所博士后研究员马西亚尔·西斯塔尼解释道:“通过极其干净的高质量接口,我们用一根由锗制成的
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三星联合IBM推出新型芯片晶体管 为智能手机长周期运行等铺平了道路
IBM已经生产了带有这种新的VTFET架构的测试芯片,并设想它在许多领域扮演着改变游戏规则的角色。随着物联网的持续发展,这些芯片可以让海洋浮标和自动驾驶汽车等设备以更少的能源运行,
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IBM和三星电子推出新的半导体设计 采用垂直晶体管架构的垂直传输场效应晶体管
VTFET 工艺解决了许多性能障碍和限制,以扩展摩尔定律,因为芯片设计人员试图将更多晶体管装入固定空间。它还影响晶体管的接触点,从而以更少的能量浪费获得更大的电流。总体而言,与按
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IBM与三星共同开发VTFET芯片技术:将晶体管以垂直方式堆叠
IBM 和三星声称,该工艺有朝一日可能允许手机在一次充电的情况下使用一整个星期。他们说,这也可以使某些能源密集型的任务,包括加密工作,更加省电,从而减少对环境的影响。
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意法半导体现已推出第三代STPOWER碳化硅MOSFET晶体管
意法半导体表示,新一代 SiC 器件专门为这些高端汽车应用进行了设计优化,包括电动汽车动力电机逆变器、车载充电机、DC DC 变换器和电子空调压缩机。新一代产品还适合工业应用,可提高
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三星电子表示将在2025年前实现2纳米晶体管工艺技术的商业化
“我们将全面提供制造产能,在最先进的技术方面维持领先,持续在应用层面精进技术。” 三星晶圆代工部门总裁Choi sSi-young称。他表示,新冠疫情加速数字化,三星的客户和伙伴将得以在适当
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消息称英伟达RTX 3060显卡的GPU核心代号为GA106 具有132.5亿个晶体管
不论是处理器还是显卡厂商,将高端芯片降级用于低端型号的做法十分常见,近期的爆料是 RTX 30 系显卡中首次出现这种情况。由于目前全球晶圆代工产能有限,因此这种做法在一定程度上有助
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柔性32比特微处理器问世:拥有更多的晶体管
不过该微型处理器在当前版本在装配之后不能更新,因为它被集成在一个从内部存储器运行的电路内。IT之家了解到,这种柔性 32 比特微处理器拥有更多的晶体管,相比于此前的处理器更纤薄
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三星3nm制程工艺已成功流片 采用的是全环绕栅极晶体管技术
但在芯片制程工艺及代工市场连续多年落后台积电的三星,并不甘于落后,在7nm和5nm制程工艺未能先于台积电量产之后,他们把目标放在了更先进的3nm制程工艺上。去年就曾有消息称,为了在3nm
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英伟达确认A100计算加速显卡:核心面积826平方毫米 具有540亿个晶体管
外媒从消息来源了解到,具有 80GB 显存的英伟达 A100 系列显卡预计于下周发布,具备高达 2TB s 的显存带宽。IT之家获悉,三种版本的加速卡已经在英伟达官网出现,PCIe 版本仅有 40GB 显存可选,