从阿斯麦此前在财报中披露的消息来看，他们的EXE系列高数值孔径极紫外光刻机，已有TWINSCAN EXE:5000和TWINSCAN EXE:5200两个型号，前者在2018年就已开始获得客户的订单，后者在去年四季度也获得了

台媒指出，目前一线半导体大厂多已预购 High-NA EUV 设备。ASML 在去年底至今年上半年陆续收到大客户订单，其中 2022 年初收到来自英特尔的最新款 High-NA EUV“EXE:5200”首张订单，英特尔目标该设

Zyvex推出的光刻系统名为ZyvexLitho1，基于STM扫描隧道显微镜，使用的是EBL电子束光刻方式，制造出了0 7nm线宽的芯片，这个精度是远高于EUV光刻系统的，相当于2个硅原子的宽度，是当前制造精度

东京应化工业等厂商无法达到要求，也就意味着三星电子未来在生产3D NAND闪存时，仍将采用东进世美肯的光刻胶，已经独家供应了近10年的东进世美肯，未来一段时间仍将是独家供应商。

光刻胶作为集成电路产业的关键材料正迎来高速发展，咨询机构 TECHCET 预计，2022 年全球半导体光刻胶市场规模将达到 22 亿美元，同比增长约 7%。然而国内半导体光刻胶市场仍被 TOK(东京应化)、

AeroHPO 是东方晶源现有基于私有计算集群的计算光刻解决方案的补充，该系统在易获得性和灵活的收费方式等方面具有显著优势，可为高校和科研院所等提供便捷的 EDA 和计算光刻教学与科研平

在这场对下一代 EUV 光刻设备的争夺中，三星电子也寻求获得最新的 EUV 设备。李在镕的欧洲商务之旅主要是为了确保获得下一代 High-NA EUV 光刻设备，以及目前正在生产的最新一代设备。ASML 今

“Grade10”升级包通过加快工作台和传送系统的驱动，缩短了曝光时间和传输时间，以每小时 300 片晶圆的产能，实现半导体光刻行业的更高水准生产。同时，这是佳能在半导体光刻设备上首次搭

ASML 首席执行官 Peter Wennink 表示:“在 High-NA EUV 方面，我们取得了良好的进展，目前已经开始在我们位于维尔德霍芬的新无尘空间中打造第一个 High-NA 光刻”，“在第一季度，我们收到了多份 EXE:

ASML 荷兰总部一位高管对路透表示，原型机有望在 2023 年上半年完工。他们说，该公司和长期研发合作伙伴 IMEC 正在现场建立一个测试实验室，也是第一个实验室，以此进一步研究机器的性能，

根据计划，国望光学研发基地将于2023 年投入运行，届时该基地将拥有 350 280nm 节点、90 110nm 节点、28nm 及以下节点极大规模 IC 制造投影光刻机曝光光学系统产品的研发、设计与批量生产供货能

TECHCET 还预测，除光刻胶外，光刻所用辅助材料市场到 2026 年也将维持 5-6% 的复合年化增速。值得一提的是，TECHCET 认为中国厂商正在光刻材料领域持续发力，将在未来几年对这一市场产生实质

该报道指出，用于 200mm 晶圆的传统设备的短缺尤其明显。虽然智能手机和类似设备通常使用 300mm 晶圆的芯片，但 200mm 晶圆仍用于制造汽车和电器的芯片。自 1990 年代以来，200mm 晶圆设备一直是

据 eeNews 报道，第一台设备从英特尔位于俄勒冈州的技术开发工厂抵达爱尔兰，这意味着Fab 34 将成为工厂外第一个运行新 EUV 技术的工厂。该设备由 10 万个部件、3000 根电缆、4 万个螺栓和超过

光刻机是半导体制造中的核心设备之一，EUV光刻机全球也只有ASML公司能够研发、生产，但它的技术限制也很多，俄罗斯计划开发全新的EUV光刻机

3D 技术可以通过堆叠多个半导体芯片使其紧密连接来提高性能的方式。据介绍，在放置芯片的板状零部件上，以很高的密度形成以电气方式连接各个芯片的多层微细布线，佳能就正在开发用于形

世界上最大的芯片制造商们都需要这种设备。在生产处理器芯片的过程中，EUV 光刻机最昂贵。目前全世界只有阿斯麦(ASML)能制造出 EUV 光刻机。在过去的十年时间里，阿斯麦总共售出大约 140 套

ArF光刻机的成功引入，是格科微“12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目”建设的关键节点。依托自有工厂即格科半导体的先进制程，格科微将进一步加快先进CIS工艺和高阶专利像素的研

据了解，氖气是惰性气体中的一种，在半导体工艺中惰性气体是一种重要材料，在DUV深紫外光光刻时代，产生DUV光源就需要多种惰性气体，然后与卤素分子混合，再使用电子束能量激发才能产生

与 2021 年相比，ASML 预计 2025 年韩国销售额的比例将增加一倍以上。考虑到每年两位数的增长率，很有可能达到 20 万亿韩元。截至去年，ASML 已售出 42 台 EUV 光刻机设备，其中三星电子和台积电