T820 采用 AI 降噪与 Smart PA 智能功放技术，特别是在不超过扬声器承受能力的前提下，提高了终端的平均音量。基于展锐创新的数字音频技术，可精准抑制环境噪音，为用户提供视听一体化的专

台媒指出，目前一线半导体大厂多已预购 High-NA EUV 设备。ASML 在去年底至今年上半年陆续收到大客户订单，其中 2022 年初收到来自英特尔的最新款 High-NA EUV“EXE:5200”首张订单，英特尔目标该设

在这场对下一代 EUV 光刻设备的争夺中，三星电子也寻求获得最新的 EUV 设备。李在镕的欧洲商务之旅主要是为了确保获得下一代 High-NA EUV 光刻设备，以及目前正在生产的最新一代设备。ASML 今

ASML 首席执行官 Peter Wennink 表示:“在 High-NA EUV 方面，我们取得了良好的进展，目前已经开始在我们位于维尔德霍芬的新无尘空间中打造第一个 High-NA 光刻”，“在第一季度，我们收到了多份 EXE:

据 eeNews 报道，第一台设备从英特尔位于俄勒冈州的技术开发工厂抵达爱尔兰，这意味着Fab 34 将成为工厂外第一个运行新 EUV 技术的工厂。该设备由 10 万个部件、3000 根电缆、4 万个螺栓和超过

光刻机是半导体制造中的核心设备之一，EUV光刻机全球也只有ASML公司能够研发、生产，但它的技术限制也很多，俄罗斯计划开发全新的EUV光刻机

由于中国、美国、日本、韩国等各国的半导体激励政策，ASML CEOPeter Wennin 十分看好半导体市场的长期发展，预计到 2025 年，由于各芯片厂商的资本支出提升，ASML 营收将达到 240 亿欧元-300 亿欧元

火灾影响的损坏评估仍在进行中，但阿斯麦方面表示，从目前的情况来看，他们计量和检测产品的产出计划将不会受到影响，因为没有相关的部件在柏林工厂生产。虽然火灾未影响到计量和检

2019 年日本出台出口限制措施后，东进世美肯开始利用自己的基础设施，如现有的氟化氩曝光机和比利时半导体研究所(IMEC)的 EUV 设备，将 EUV 光刻胶本土化。同时，三星提供了 EUV 测试环境并且

他认为，SK 海力士有足够的时间将 EUV 设备进口到中国。李锡熙对于引进受限一事表示：正与美方合作，目前进展良好。EUV 光刻技术已经在韩国本土的 DRAM 产线上应用，中国工厂还有充足的时间

关于EUV光刻机进厂可能延期的问题，李锡熙表示，正与美方合作，进展良好。EUV光刻技术已经在韩国本土的DRAM产线上应用，中国工厂还有充足的时间供斡旋沟通。据悉，SK海力士将基于EUV光刻

以 2017 年为起点，三星电子表示，通过其 S3 和 S4 晶圆厂的生产以及 2021 年 S5 晶圆厂第一阶段上线，该公司目前的综合代工产能已增长至 2017 年水平的 1 8 倍。到 2026 年，随着 S5 进入第二阶段，

根据 ASML 的说法，5-7nm 逻辑半导体(以每月 45,000 颗晶圆为基准)每个 EUV 层需要一台 EUV 设备，16nm 及以下节点 DRAM(以每月 100,000 颗晶圆为基准)每个 EUV 层则需要 1 5-2 台设备。三星电子计划，到今

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认，美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图，将由10nm世代中的1γ(gamma)工艺节点开始导入。光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产，预计2024年进入量产阶段。

现在第一代的EUV光刻机NA指标太低，第二代EUV光刻机会是N XE：5000系列，其物镜的NA将提升到0 55，进一步提高光刻精度，半导体工艺突破1nm工艺就要靠下一代光刻机了。

外媒表示，此种防护膜主要用于安装在 EUV 光路和晶圆制造空间之间，用于防尘。此前的防护膜透光率仅有 78%，然而一片的价格高达 26000 美元(约 16 74 万元人民币)。三星和台积电目前为了生产

紫光展锐执行副总裁、消费电子事业部总经理周晨说，新品牌体系下，已规模量产的T7510型号更名为T740，T7520型号更名为T770。其中T770是全球首款6纳米5G芯片，已在今年年初成功回片，在不到150

历史的经验早已证明，3D NAND 无论是在性能还是在可拓展方面，都是一种非常高效的体系结构，因此，SK 海力士将在未来几年继续使用它。早在 2020 年 12 月，SK 海力士就推出了具有 1 6Gbps 接口的

根据此前曝光的消息，全新的华为P50系列将依旧包含三个版本，其中P50将采用微曲屏，P50 Pro为瀑布屏，而P50 Pro+则为曲面屏，三者均将首次采用居中单挖孔的设计，这也是华为首款居中单挖孔屏

IT之家获悉，SK 海力士在一份监管文件中称，这笔交易是为了实现下一代工艺芯片量产的目标。此前报道称，SK 海力士最终目标是使芯片制造工厂全自动化运营，也就是达到 L5 级别，使生产制